2SC5964-TD-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SC5964-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 50 V, 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 50 V, 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 125 mV, 100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V, 6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	390 MHz, 380 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SC5964
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PCP

Метки: