BFQ 19S E6327

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BFQ 19S E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BFQ19SE6327HTSA1 SP000011042
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	40 at 70 mA at 8 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.21 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	15 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	5500 MHz
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BFQ19
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89-4

Метки: