Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 14 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 33 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |