Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 80 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 35 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 160V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 160 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 30 MHz |
| Производитель | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | 2-21F1A |