2DB1182Q-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: 2DB1182Q-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2DB1182Q-13 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	10 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120 at - 0.5 A at - 3 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270 at - 0.5 A at - 3 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 3 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	110 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	2DB11
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-3

Метки: