2SD2211T100R

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SD2211T100R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT DVR NPN 160V 1.5A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	180
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	180 at 0.1 A at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	80 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SD2211
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89

Метки: