Ничего не куплено!
PBSS3515MB,315
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PBSS3515MB,315
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 4 недель
Номер части: PBSS3515MB,315
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 4 недель
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| PBSS3515MB,315 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Непрерывный коллекторный ток | - 500 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 280 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Pd - рассеивание мощности | 590 mW |
| Вес изделия | 0.690 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 1 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 15 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 25 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | Nexperia |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Технология | Si |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| Упаковка / блок | DFN-1006B-3 |
| CAHTS | 8541210000 |
| CNHTS | 8541210000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541210101 |
| KRHTS | 8541219000 |
| MXHTS | 85412101 |
| TARIC | 8541210000 |
| USHTS | 8541210075 |
Страница создана за 0.155 секунд.