ZTX457STZ

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZTX457STZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
ZTX457STZ Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	50 at 10 mA at 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	75 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	ZTX457
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Ammo Pack
Упаковка / блок	TO-92

Метки: