Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 640 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 35 at 0.1 mA at 10 V, 50 at 1 mA at 10 V, 75 at 10 mA at 10 V, 100 at 150 mA at 10 V, 50 at 150 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 10 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 35 at 0.1 mA at 10 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 300 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | MMBT2222AM3 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-723 |