Ничего не куплено!
2SA2016-TD-E
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SA2016-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2SA2016-TD-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 7A 50V
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 200 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 330 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SA2016 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Страница создана за 0.161 секунд.