BUL45D2G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: BUL45D2G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 5A 400V 75W NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	75 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	22
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	34
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	700 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.46 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	12 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	13 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	50
Серия	BUL45D2
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: