MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MBT6429DW1T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы - BJT 200mA 55V NPN
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 500
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 55 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 700 MHz
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MBT6429DW1
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок SC-70-6
Метки:
Страница создана за 0.461 секунд.