Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | PBSS3515M T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA at 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 1A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 280 MHz |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SC-101 |