Ничего не куплено!
2SB1260T100P
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SB1260T100P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2SB1260T100P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT DVR PNP 80V 1A
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 82 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 at 0.1 A at 3 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 100 MHz |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SB1260 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-89 |
Страница создана за 0.159 секунд.