Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 110000 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 10 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 25 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 500V to 1000V Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220 |