MMBT5551M3T5G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MMBT5551M3T5G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT SOT-723 GP NPN TRANS

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	640 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.06 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	MMBT5551M3
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-723

Метки: