Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 0.8 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 50 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |