Ничего не куплено!
BD435G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: BD435G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BD435G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 22V
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 36000 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 40 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 3 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | BD435 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
Страница создана за 0.165 секунд.