UMZ1NT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: UMZ1NT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
UMZ1NT1G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual Complementary

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	187 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	114 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	UMZ1N
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: