EMZ2T2R

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: EMZ2T2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 50V 150MA

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V, - 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V, - 6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	180 MHz, 140 MHz
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	EMZ2
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	EMT-6

Метки: