Ничего не куплено!
HN4B01JE(TE85L,F)
Производитель: Toshiba
Номер части: HN4B01JE(TE85L,F)
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: HN4B01JE(TE85L,F)
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 120 at 2 mA at 6 V |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V @ NPN or 50 V @ PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 80 MHz (Min) |
| Производитель | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
Страница создана за 0.19 секунд.