Ничего не куплено!
Описание | действие |
TTC5200(Q) Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 80 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 230 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 230 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 30 MHz |
Производитель | Toshiba |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | 2-21F1A |