APT13005DT-G1

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: APT13005DT-G1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	75 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	8 at 2 A, 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	35 at 2 A at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	8 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	450 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	900 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	9 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	4 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	APT13005
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-220AB-3

Метки: