2N6338G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2N6338G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2N6338G Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT 25A 100V 200W NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	200 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	25 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	40 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	100
Серия	2N6338
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	SMB

Метки: