Ничего не куплено!
2SD1816S-E
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SD1816S-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2SD1816S-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 100V
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 130 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | 2SD1816 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
Страница создана за 0.148 секунд.