2N3790

Производитель: Central Semiconductor
Номер части: 2N3790
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT PNP GP Power

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	150000 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	25 at 3 A, 2 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	25
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	4 MHz
Производитель	Central Semiconductor
Размер фабричной упаковки	20
Серия	2N3790
Торговая марка	Central Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3

Метки: