Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 55 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 15 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 230 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 230 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 30 MHz |
| Производитель | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-3P |