DXT13003DK-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DXT13003DK-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	3.9 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	5 at 1 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	25 at 1 A at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	450 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	9 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	4 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DXT13003
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO252-3 (DPAK)

Метки: