2PB709ASW,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: 2PB709ASW,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	2PB709ASW T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	210
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	340
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 200 mA
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	80 MHz
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-323

Метки: