ZXTN2010GTA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXTN2010GTA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN Low Sat

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	3 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 55 at 5 A at 1 V, 20 at 10 A at 1 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	100
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	130 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZXTN2010
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: