ZTX415STZ

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZTX415STZ
Нормоупаковка: 2000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2000

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
ZTX415STZ Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	680 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	25 at 10 mA at 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	260 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	40 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	ZTX415
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92

Метки: