HN4B04J(TE85L,F)

Производитель: Toshiba
Номер части: HN4B04J(TE85L,F)
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	70
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальный постоянный ток коллектора	- 500 mA, 500 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 35 V, 35 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 30 V, 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 0.1 V, 0.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 5 V, 5 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	200 MHz, 300 MHz
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-25

Метки: