Ничего не куплено!
2SCR523EBTL
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SCR523EBTL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2SCR523EBTL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: $0.4160
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
10 шт. и выше: $0.2522
100 шт. и выше: $0.1586
500 шт. и выше: $0.1170
1000 шт. и выше: $0.1014
3000 шт. и выше: $0.0858
6000 шт. и выше: $0.0819
9000 шт. и выше: $0.0650
24000 шт. и выше: $0.0623
100 шт. и выше: $0.1586
500 шт. и выше: $0.1170
1000 шт. и выше: $0.1014
3000 шт. и выше: $0.0858
6000 шт. и выше: $0.0819
9000 шт. и выше: $0.0650
24000 шт. и выше: $0.0623
| Описание | действие |
| 2SCR523EBTL Лист данных (2scr523ebtl-e.pdf) | открыть |
Биполярные транзисторы - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 120 at 1 mA at 6 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at 1 mA at 6 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 350 MHz |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Серия | 2SCR523EB |
| Технология | Si |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | EMT-3F |
Страница создана за 0.158 секунд.