NST65011MW6T1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NST65011MW6T1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched PNP Tra

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	380 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	0.9 at 2 mA at 5 V, 0.9 at 2 mA at 5 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	1.1 at 2 mA at 5 V, 1.1 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA, 100 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V, 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V, 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	600 mV, 600 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V, 6 V
Полярность транзистора	NPN, NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz, 100 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-363-6

Метки: