Ничего не куплено!
BC858BWT106
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BC858BWT106
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BC858BWT106
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| BC858BWT106 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT PNP 30V 1MA
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 2 mm |
| Код HTS | 8541290095 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |
| Непрерывный коллекторный ток | - 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Ширина | 1.25 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Вес изделия | 5 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BC858BW |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 480 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC858BW |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
Страница создана за 0.145 секунд.