ZXT849KTC

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXT849KTC
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
ZXT849KTC Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	4200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 100 at 7 A at 1 V, 40 at 20 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	100
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	230 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	ZXT849
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: