Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| NSVMUN5111DW1T3G Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения | |
| Pd - рассеивание мощности | 385 mW |
| Выходное напряжение | 200 mV |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 35 at 5 mA at 10 V |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |