RN1130MFV,L3F

Производитель: Toshiba
Номер части: RN1130MFV,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
RN1130MFV,L3F Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальная рабочая частота	250 MHz
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Полярность транзистора	NPN
Производитель	Toshiba
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-723-3

Метки: