Ничего не куплено!
RN2130MFV,L3F
Производитель: Toshiba
Номер части: RN2130MFV,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: RN2130MFV,L3F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| RN2130MFV,L3F Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
| Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения | |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 100 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 10 V |
| Непрерывный коллекторный ток | - 100 mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | Toshiba |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Страница создана за 0.159 секунд.