STGF3NC120HD

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGF3NC120HD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGF3NC120HD Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	25 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	6 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	6 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	900-1300V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3 FP

Метки: