Ничего не куплено!
STGB10H60DF
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGB10H60DF
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGB10H60DF
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGB10H60DF Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 115 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | 600-650V IGBTs |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK |
Страница создана за 0.155 секунд.