Ничего не куплено!
NGB8207ABNT4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGB8207ABNT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NGB8207ABNT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| NGB8207ABNT4G Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20 A 365 V
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 165 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 365 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | NGB8207AB |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK |
Страница создана за 0.681 секунд.