Ничего не куплено!
IXBH42N170
Производитель: IXYS
Номер части: IXBH42N170
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXBH42N170
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 360 W |
| Вес изделия | 6.500 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXBH42N170 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.156 секунд.