Ничего не куплено!
IXGE200N60B
Производитель: IXYS
Номер части: IXGE200N60B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGE200N60B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 175 Amps 600V 2.1 Rds
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 160 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | IXGE200N60 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOPLUS 227-4 |
Страница создана за 0.146 секунд.