Ничего не куплено!
IXGX32N170H1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGX32N170H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGX32N170H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700V 2.5 Rds
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGX32N170 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PLUS 247-3 |
Страница создана за 0.26 секунд.