Ничего не куплено!
STGD18N40LZ-1
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGD18N40LZ-1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGD18N40LZ-1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGD18N40LZ-1 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 360 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 25 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | STGD18N40LZ |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | IPAK-3 |
Страница создана за 0.151 секунд.