Ничего не куплено!
NGTB05N60R2DT4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB05N60R2DT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NGTB05N60R2DT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| NGTB05N60R2DT4G Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 5A 600V DPAK
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 56 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 8 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.717 секунд.