IKA08N65F5XKSA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IKA08N65F5XKSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	31.2 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IKA08N65F5 SP000973414
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	10.8 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	6.8 A
Производитель	Infineon
Серия	IKA08N65
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: