Ничего не куплено!
IGW15N120H3
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IGW15N120H3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IGW15N120H3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 217 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3XK SP000674430 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | IGW15N120 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.136 секунд.