Ничего не куплено!
FGA180N33ATDTU
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA180N33ATDTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FGA180N33ATDTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 330V 180A PDP Trench
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 6.401 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 330 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 180 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | FGA180N33ATDTU |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
Страница создана за 0.283 секунд.